据介绍，神经突触是人类大脑学习和记忆的基本组成单元，突触仿生是实现神经形态计算的重要基础。突触可以看做是一种两端器件，其突触权重可对刺激信号作出动态响应，这一特点恰恰与忆阻器的概念相似——电阻的阻值可以随流经电量而发生改变。因此，利用忆阻器件实现对神经突触的仿生一直是相关领域的研究热点。
在东北师范大学教授刘益春的带领下，该研究组利用非晶态InGaZnO薄膜的电学性质可调节性及其对激励信号可作出动态反应等特点，设计并制备了由两层不同含氧量的InGaZnO薄层构成的忆阻器件；实现了对神经突触多种生物功能的模拟，涉及兴奋性突触后电流、非线性传输特性、长时程/短时程可塑性、刺激频率响应特性、STDP机制、经验式学习等多个方面，尤其是器件表现出的短时记忆行为与“学习—忘记—再学习”的经验式学习模式符合人类的认知规律。
同时，科研人员通过系统研究短时可塑性随温度的变化规律，揭示了该器件的运行机制为氧离子的迁移和扩散。
相关专家表示，该成果对促进更加精确地仿生神经突触进而实现人工神经网络打下了坚实的基础。
（责任）
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